JAN1N5614
JAN1N5614
Osa numero:
JAN1N5614
Valmistaja:
Microsemi
Kuvaus:
DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
12885 Pieces
Tietolomake:
JAN1N5614.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä JAN1N5614, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma JAN1N5614 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa JAN1N5614 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos:1.3V @ 3A
Jännite - DC Reverse (Vr) (Max):200V
Nopeus:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Sarja:Military, MIL-PRF-19500/427
Käänteinen Recovery Time (TRR):2µs
Pakkaus:Bulk
Pakkaus / Case:A, Axial
Muut nimet:1086-2101
1086-2101-MIL
Käyttölämpötila - liitäntä:-65°C ~ 200°C
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:8 Weeks
Valmistajan osanumero:JAN1N5614
Laajennettu kuvaus:Diode Standard 200V 1A Through Hole
diodi Tyyppi:Standard
Kuvaus:DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL
Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr:500nA @ 200V
Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io):1A
Kapasitanssi @ Vr, F:-
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit