JAN1N5804
Osa numero:
JAN1N5804
Valmistaja:
Microsemi
Kuvaus:
DIODE GEN PURP 100V 2.5A AXIAL
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
18796 Pieces
Tietolomake:
JAN1N5804.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä JAN1N5804, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma JAN1N5804 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa JAN1N5804 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos:975mV @ 2.5A
Jännite - DC Reverse (Vr) (Max):100V
Nopeus:Fast Recovery = 200mA (Io)
Sarja:Military, MIL-PRF-19500/477
Käänteinen Recovery Time (TRR):25ns
Pakkaus:Bulk
Pakkaus / Case:A, Axial
Muut nimet:1086-2119
1086-2119-MIL
Käyttölämpötila - liitäntä:-65°C ~ 175°C
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:8 Weeks
Valmistajan osanumero:JAN1N5804
Laajennettu kuvaus:Diode Standard 100V 2.5A Through Hole
diodi Tyyppi:Standard
Kuvaus:DIODE GEN PURP 100V 2.5A AXIAL
Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr:1µA @ 100V
Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io):2.5A
Kapasitanssi @ Vr, F:25pF @ 10V, 1MHz
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit