JAN1N6628
Osa numero:
JAN1N6628
Valmistaja:
Microsemi
Kuvaus:
DIODE GEN PURP 660V 1.75A AXIAL
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
15067 Pieces
Tietolomake:
JAN1N6628.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä JAN1N6628, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma JAN1N6628 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa JAN1N6628 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos:1.35V @ 1.2A
Jännite - DC Reverse (Vr) (Max):660V
Nopeus:Fast Recovery = 200mA (Io)
Sarja:Military, MIL-PRF-19500/590
Käänteinen Recovery Time (TRR):30ns
Pakkaus:Bulk
Pakkaus / Case:E, Axial
Muut nimet:1086-2306
1086-2306-MIL
Käyttölämpötila - liitäntä:-65°C ~ 175°C
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:JAN1N6628
Laajennettu kuvaus:Diode Standard 660V 1.75A Through Hole
diodi Tyyppi:Standard
Kuvaus:DIODE GEN PURP 660V 1.75A AXIAL
Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr:2µA @ 600V
Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io):1.75A
Kapasitanssi @ Vr, F:-
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit