JAN1N6631U
Osa numero:
JAN1N6631U
Valmistaja:
Microsemi
Kuvaus:
DIODE GEN PURP 1KV 1.4A E-MELF
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
16600 Pieces
Tietolomake:
JAN1N6631U.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä JAN1N6631U, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma JAN1N6631U sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa JAN1N6631U BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos:1.6V @ 1.4A
Jännite - DC Reverse (Vr) (Max):1000V (1kV)
Toimittaja Device Package:D-5B
Nopeus:Fast Recovery = 200mA (Io)
Sarja:Military, MIL-PRF-19500/590
Käänteinen Recovery Time (TRR):60ns
Pakkaus:Bulk
Pakkaus / Case:SQ-MELF, E
Muut nimet:1086-19999
1086-19999-MIL
Käyttölämpötila - liitäntä:-65°C ~ 150°C
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:JAN1N6631U
Laajennettu kuvaus:Diode Standard 1000V (1kV) 1.4A Surface Mount D-5B
diodi Tyyppi:Standard
Kuvaus:DIODE GEN PURP 1KV 1.4A E-MELF
Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr:4µA @ 1000V
Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io):1.4A
Kapasitanssi @ Vr, F:-
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit