Ostaa JAN1N6642UB2 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
JAN1N6642UB2
- Osa numero:
- JAN1N6642UB2
- Valmistaja:
- Microsemi
- Kuvaus:
- DIODE GEN PURP 75V 300MA UB2
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 13676 Pieces
- Tietolomake:
- JAN1N6642UB2.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä JAN1N6642UB2, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma JAN1N6642UB2 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos: | 1.2V @ 100mA |
|---|---|
| Jännite - DC Reverse (Vr) (Max): | 75V |
| Toimittaja Device Package: | UB2 |
| Nopeus: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Sarja: | Military, MIL-PRF-19500/578 |
| Käänteinen Recovery Time (TRR): | 5ns |
| Pakkaus: | Bulk |
| Pakkaus / Case: | 2-SMD, No Lead |
| Muut nimet: | 1086-20025 1086-20025-MIL |
| Käyttölämpötila - liitäntä: | -65°C ~ 175°C |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | JAN1N6642UB2 |
| Laajennettu kuvaus: | Diode Standard 75V 300mA Surface Mount UB2 |
| diodi Tyyppi: | Standard |
| Kuvaus: | DIODE GEN PURP 75V 300MA UB2 |
| Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr: | 500nA @ 75V |
| Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io): | 300mA |
| Kapasitanssi @ Vr, F: | 5pF @ 0V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat JAN1N6642UB2
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
JAN1N6642UB | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 75V 300MA UB | tiedustelu |
|
JAN1N6642UB2R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 75V 300MA UB2 | tiedustelu |
|
JAN1N6642U | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 75V 300MA D5D | tiedustelu |
|
JAN1N6642UBCC | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 75V 300MA UB | tiedustelu |
|
JAN1N6640US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 300MA B-MELF | tiedustelu |
 |
JAN1N6642US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 75V 300MA D5D | tiedustelu |
|
JAN1N6642UBD | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 75V 300MA UB | tiedustelu |
|
JAN1N6641US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 300MA B-MELF | tiedustelu |
|
JAN1N6641 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 300MA AXIAL | tiedustelu |
|
JAN1N6642 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 75V 300MA AXIAL | tiedustelu |
|
JAN1N6642UBCA | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 75V 300MA UB | tiedustelu |
|
JAN1N6640 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 300MA AXIAL | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog