JANTXV1N5618
JANTXV1N5618
Osa numero:
JANTXV1N5618
Valmistaja:
Microsemi
Kuvaus:
DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
18136 Pieces
Tietolomake:
JANTXV1N5618.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä JANTXV1N5618, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma JANTXV1N5618 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa JANTXV1N5618 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos:1.3V @ 3A
Jännite - DC Reverse (Vr) (Max):600V
Nopeus:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Sarja:Military, MIL-PRF-19500/427
Käänteinen Recovery Time (TRR):2µs
Pakkaus:Bulk
Pakkaus / Case:A, Axial
Muut nimet:1086-2829
1086-2829-MIL
Käyttölämpötila - liitäntä:-65°C ~ 200°C
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:14 Weeks
Valmistajan osanumero:JANTXV1N5618
Laajennettu kuvaus:Diode Standard 600V 1A Through Hole
diodi Tyyppi:Standard
Kuvaus:DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL
Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr:500nA @ 600V
Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io):1A
Kapasitanssi @ Vr, F:-
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit