Ostaa LET20030C BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
LET20030C
- Osa numero:
- LET20030C
- Valmistaja:
- ST
- Kuvaus:
- FET RF 80V 2GHZ M243
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 18694 Pieces
- Tietolomake:
- LET20030C.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä LET20030C, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma LET20030C sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Testi: | 28V |
|---|---|
| Jännite - Rated: | 80V |
| transistori tyyppi: | LDMOS |
| Toimittaja Device Package: | M243 |
| Sarja: | - |
| Virta - Output: | 45W |
| Pakkaus: | Bulk |
| Pakkaus / Case: | M243 |
| Muut nimet: | 497-13531 |
| Noise Kuva: | - |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | LET20030C |
| Saada: | 13.9dB |
| Taajuus: | 2GHz |
| Laajennettu kuvaus: | RF Mosfet LDMOS 28V 400mA 2GHz 13.9dB 45W M243 |
| Kuvaus: | FET RF 80V 2GHZ M243 |
| Nykyinen arvostelu: | 9A |
| Nykyinen - Testi: | 400mA |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat LET20030C
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
BF1208,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH DUAL GATE SOT666 | tiedustelu |
 |
BLF10M6LS160U | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502B | tiedustelu |
 |
PTFA092213FLV5R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS H-34288-6 | tiedustelu |
 |
ARF440 | Microsemi Corporation | PWR MOSFET RF N-CH 150V TO-247AD | tiedustelu |
 |
BLF6G13LS-250P,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1121B | tiedustelu |
 |
MMRF1024HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.5GHZ NI-1230-4 | tiedustelu |
 |
BLF3G21-6,135 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT538A | tiedustelu |
 |
BLF884P,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 104V 21DB SOT1121A | tiedustelu |
 |
LET20045C | STMicroelectronics | RF MOSFET N CH 80V 12A M243 | tiedustelu |
 |
BLC8G27LS-140AVZ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT12751 | tiedustelu |
 |
PTFB262406EV1XWSA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS | tiedustelu |
 |
PTFA192001EV4R250XTMA1 | Infineon Technologies | FET RF 65V 1.99GHZ H-36260-2 | tiedustelu |
 |
475-501N44A-00 | IXYS | RF MOSFET N-CHANNEL DE475 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog