Ostaa PD20010STR-E BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
PD20010STR-E
- Osa numero:
- PD20010STR-E
- Valmistaja:
- ST
- Kuvaus:
- TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF STR
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 15503 Pieces
- Tietolomake:
- PD20010STR-E.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä PD20010STR-E, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma PD20010STR-E sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Testi: | 13.6V |
|---|---|
| Jännite - Rated: | 40V |
| transistori tyyppi: | LDMOS |
| Toimittaja Device Package: | PowerSO-10RF (Straight Lead) |
| Sarja: | - |
| Virta - Output: | 10W |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads) |
| Muut nimet: | 497-10095-2 PD20010STR-E-ND PD20010STRE |
| Noise Kuva: | - |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Valmistajan toimitusaika: | 11 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | PD20010STR-E |
| Saada: | 11dB |
| Taajuus: | 2GHz |
| Laajennettu kuvaus: | RF Mosfet LDMOS 13.6V 150mA 2GHz 11dB 10W PowerSO-10RF (Straight Lead) |
| Kuvaus: | TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF STR |
| Nykyinen arvostelu: | 5A |
| Nykyinen - Testi: | 150mA |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat PD20010STR-E
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
PD20010S-E | STMicroelectronics | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF | tiedustelu |
 |
PD20010TR-E | STMicroelectronics | TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF FORM | tiedustelu |
|
PD20015S-E | STMicroelectronics | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF | tiedustelu |
|
PD20010-E | STMicroelectronics | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF | tiedustelu |
 |
BLC8G27LS-160AVHY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 28V 14.5DB SOT12751 | tiedustelu |
 |
PD20015C | STMicroelectronics | FET RF 40V 2GHZ M243 | tiedustelu |
|
PD20015-E | STMicroelectronics | TRANS RF PWR N-CH POWERSO-10RF | tiedustelu |
 |
CGH60060D | Cree/Wolfspeed | RF MOSFET HEMT 28V DIE | tiedustelu |
 |
MRFG35005MR5 | NXP USA Inc. | FET RF 15V 3.55GHZ 1.5PLD | tiedustelu |
 |
MRF6P3300HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 863MHZ NI-860C3 | tiedustelu |
|
PD55003STR-E | STMicroelectronics | FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog