Ostaa QJD1210SA2 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
QJD1210SA2
- Osa numero:
- QJD1210SA2
- Valmistaja:
- Powerex, Inc.
- Kuvaus:
- MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 18403 Pieces
- Tietolomake:
- 1.QJD1210SA2.pdf2.QJD1210SA2.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä QJD1210SA2, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma QJD1210SA2 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.6V @ 34mA |
|---|---|
| Toimittaja Device Package: | Module |
| Sarja: | - |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 17 mOhm @ 100A, 15V |
| Virta - Max: | 415W |
| Pakkaus: | Bulk |
| Pakkaus / Case: | Module |
| Käyttölämpötila: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Chassis Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | QJD1210SA2 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 8200pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 330nC @ 15V |
| FET tyyppi: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Ominaisuus: | Standard |
| Laajennettu kuvaus: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 100A 415W Chassis Mount Module |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
| Kuvaus: | MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 100A |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat QJD1210SA2
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
QJD1210011 | Powerex Inc. | MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC | tiedustelu |
 |
FMM22-05PF | IXYS | MOSFET 2N-CH 500V 13A I4-PAC | tiedustelu |
|
QJD1210SA1 | Powerex Inc. | MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC | tiedustelu |
|
QJD1210SB1 | Powerex Inc. | MOD MOSFET 1200V 10A DUAL SIC | tiedustelu |
 |
SQJ912AEP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO-8 | tiedustelu |
|
QJD1210010 | Powerex Inc. | MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC | tiedustelu |
 |
VQ1001P | Vishay Siliconix | MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP | tiedustelu |
 |
IRF7309PBF | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC | tiedustelu |
 |
NTZD3158PT1G | ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT563 | tiedustelu |
|
SI4532ADY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-SOIC | tiedustelu |
|
SI4963BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8SOIC | tiedustelu |
|
SI7960DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog