R6020KNJTL
Osa numero:
R6020KNJTL
Valmistaja:
LAPIS Semiconductor
Kuvaus:
NCH 600V 20A POWER MOSFET
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
17119 Pieces
Tietolomake:
R6020KNJTL.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä R6020KNJTL, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma R6020KNJTL sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa R6020KNJTL BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-263
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:196 mOhm @ 9.5A, 10V
Tehonkulutus (Max):231W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Muut nimet:R6020KNJTLTR
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:17 Weeks
Valmistajan osanumero:R6020KNJTL
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1550pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:40nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 600V 20A (Tc) 231W (Tc) Surface Mount TO-263
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):600V
Kuvaus:NCH 600V 20A POWER MOSFET
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:20A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit