RSD201N10TL
RSD201N10TL
Osa numero:
RSD201N10TL
Valmistaja:
LAPIS Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 20A CPT3
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
12924 Pieces
Tietolomake:
RSD201N10TL.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä RSD201N10TL, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma RSD201N10TL sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa RSD201N10TL BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:CPT3
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:46 mOhm @ 20A, 10V
Tehonkulutus (Max):850mW (Ta), 20W (Tc)
Pakkaus:Original-Reel®
Pakkaus / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Muut nimet:RSD201N10TLDKR
Käyttölämpötila:150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:17 Weeks
Valmistajan osanumero:RSD201N10TL
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:2100pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:55nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 100V 20A (Tc) 850mW (Ta), 20W (Tc) Surface Mount CPT3
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):4V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss):100V
Kuvaus:MOSFET N-CH 100V 20A CPT3
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:20A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit