Ostaa SI2310-TP BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 2V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±20V |
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | SOT-23 |
Sarja: | - |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 125 mOhm @ 3A, 4.5V |
Tehonkulutus (Max): | 350mW |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Muut nimet: | SI2310-TPMSTR |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 8 Weeks |
Valmistajan osanumero: | SI2310-TP |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 247pF @ 30V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 6nC @ 4.5V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 60V 3A 350mW Surface Mount SOT-23 |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Valua lähde jännite (Vdss): | 60V |
Kuvaus: | N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 3A |
Email: | [email protected] |