Ostaa STB12NM50ND BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
STB12NM50ND
- Osa numero:
- STB12NM50ND
- Valmistaja:
- ST
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 18535 Pieces
- Tietolomake:
- STB12NM50ND.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä STB12NM50ND, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma STB12NM50ND sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±25V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | D2PAK |
| Sarja: | FDmesh™ II |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 380 mOhm @ 5.5A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 100W (Tc) |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Muut nimet: | 497-10026-2 |
| Käyttölämpötila: | 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 22 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | STB12NM50ND |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 850pF @ 50V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 30nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 500V 11A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 500V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 11A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat STB12NM50ND
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
STB12NM50FDT4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK | tiedustelu |
 |
IRF7466 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC | tiedustelu |
|
STB12NM50T4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 550V 12A D2PAK | tiedustelu |
 |
STB120N4F6 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK | tiedustelu |
|
STB12NM50N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK | tiedustelu |
 |
NTMS4935NR2G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC | tiedustelu |
 |
STB12NM60N-1 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK | tiedustelu |
 |
IRFR2607Z | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 42A DPAK | tiedustelu |
|
STB120NF10T4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK | tiedustelu |
|
STB12NM60N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK | tiedustelu |
|
STB12NK80ZT4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 10.5A D2PAK | tiedustelu |
 |
STB120N4LF6 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK | tiedustelu |
|
STB120N10F4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V D2PAK | tiedustelu |
|
IPT111N20NFDATMA1 | Infineon Technologies | MV POWER MOS | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog