STB5N80K5
STB5N80K5
Osa numero:
STB5N80K5
Valmistaja:
ST
Kuvaus:
N-CHANNEL 800 V, 1.50 OHM TYP.,
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
18693 Pieces
Tietolomake:
STB5N80K5.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä STB5N80K5, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma STB5N80K5 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa STB5N80K5 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 100µA
Vgs (Max):±30V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:D2PAK
Sarja:MDmesh™
RDS (Max) @ Id, Vgs:1.75 Ohm @ 2A, 10V
Tehonkulutus (Max):60W (Tc)
Pakkaus:Original-Reel®
Pakkaus / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Muut nimet:497-16923-6
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:20 Weeks
Valmistajan osanumero:STB5N80K5
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:177pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:5nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 800V 4A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount D2PAK
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):800V
Kuvaus:N-CHANNEL 800 V, 1.50 OHM TYP.,
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:4A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit