STB7NK80Z-1
STB7NK80Z-1
Osa numero:
STB7NK80Z-1
Valmistaja:
ST
Kuvaus:
MOSFET N-CH 800V 5.2A I2PAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
14847 Pieces
Tietolomake:
STB7NK80Z-1.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä STB7NK80Z-1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma STB7NK80Z-1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa STB7NK80Z-1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4.5V @ 100µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:I2PAK
Sarja:SuperMESH™
RDS (Max) @ Id, Vgs:1.8 Ohm @ 2.6A, 10V
Tehonkulutus (Max):125W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Muut nimet:497-12539-5
STB7NK80Z-1-ND
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:18 Weeks
Valmistajan osanumero:STB7NK80Z-1
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1138pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:56nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 800V 5.2A (Tc) 125W (Tc) Through Hole I2PAK
Valua lähde jännite (Vdss):800V
Kuvaus:MOSFET N-CH 800V 5.2A I2PAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:5.2A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit