STD10N60M2
STD10N60M2
Osa numero:
STD10N60M2
Valmistaja:
ST
Kuvaus:
MOSFET N-CH 600V DPAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
12140 Pieces
Tietolomake:
STD10N60M2.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä STD10N60M2, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma STD10N60M2 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa STD10N60M2 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:DPAK
Sarja:MDmesh™ II Plus
RDS (Max) @ Id, Vgs:600 mOhm @ 3A, 10V
Tehonkulutus (Max):85W (Tc)
Pakkaus:Original-Reel®
Pakkaus / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Muut nimet:497-13937-6
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:STD10N60M2
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:400pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:13.5nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 600V 7.5A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount DPAK
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):600V
Kuvaus:MOSFET N-CH 600V DPAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:7.5A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit