Ostaa STD12NF06L-1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
STD12NF06L-1
- Osa numero:
- STD12NF06L-1
- Valmistaja:
- ST
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 13469 Pieces
- Tietolomake:
- STD12NF06L-1.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä STD12NF06L-1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma STD12NF06L-1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±16V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | I-Pak |
| Sarja: | STripFET™ II |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 100 mOhm @ 6A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 42.8W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Muut nimet: | 497-6730-5 STD12NF06L-1-ND STD12NF06L1 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 26 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | STD12NF06L-1 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 350pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 10nC @ 5V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 60V 12A (Tc) 42.8W (Tc) Through Hole I-Pak |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 5V, 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 60V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 60V 12A IPAK |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 12A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat STD12NF06L-1
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
STD120N4F6 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 40V 80A DPAK | tiedustelu |
|
STD12NF06LT4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 12A DPAK | tiedustelu |
 |
STD12N60M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 9A DPAK | tiedustelu |
|
STD12N50M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 10A DPAK | tiedustelu |
 |
STD12NF06-1 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 12A IPAK | tiedustelu |
|
STD12N65M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 8A DPAK | tiedustelu |
|
STD120N4LF6 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 40V 80A DPAK | tiedustelu |
|
STD12NF06T4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 12A DPAK | tiedustelu |
|
STD127DT4 | STMicroelectronics | TRANS NPN 400V 4A DPAK | tiedustelu |
|
STD12NM50ND | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 11A DPAK | tiedustelu |
|
STD12NM50N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 11A DPAK | tiedustelu |
|
STD12N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 8.5A DPAK | tiedustelu |
|
STD12N50DM2 | STMicroelectronics | N-CHANNEL 500 V, 0.35 OHM TYP., | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog