STD3NK100Z
STD3NK100Z
Osa numero:
STD3NK100Z
Valmistaja:
ST
Kuvaus:
MOSFET N-CH 1000V 2.5A DPAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
16050 Pieces
Tietolomake:
STD3NK100Z.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä STD3NK100Z, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma STD3NK100Z sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa STD3NK100Z BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4.5V @ 50µA
Vgs (Max):±30V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:DPAK
Sarja:SuperMESH™
RDS (Max) @ Id, Vgs:6 Ohm @ 1.25A, 10V
Tehonkulutus (Max):90W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Muut nimet:497-7967-2
STD3NK100Z-ND
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:26 Weeks
Valmistajan osanumero:STD3NK100Z
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:601pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:18nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 1000V (1kV) 2.5A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount DPAK
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):1000V (1kV)
Kuvaus:MOSFET N-CH 1000V 2.5A DPAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:2.5A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit