Ostaa STD8N60DM2 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 100µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±30V |
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | DPAK |
Sarja: | MDmesh™ |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 600 mOhm @ 4A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 85W (Tc) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Muut nimet: | 497-16930-2 |
Käyttölämpötila: | 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 26 Weeks |
Valmistajan osanumero: | STD8N60DM2 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 375pF @ 100V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 4nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 600V 8A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount DPAK |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Valua lähde jännite (Vdss): | 600V |
Kuvaus: | N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP., |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 8A (Tc) |
Email: | [email protected] |