Ostaa STF10N60DM2 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±25V |
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | TO-220FP |
Sarja: | MDmesh™ |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 530 mOhm @ 4A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 25W (Tc) |
Pakkaus: | Tube |
Pakkaus / Case: | TO-220-3 Full Pack |
Muut nimet: | 497-16959 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Through Hole |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 24 Weeks |
Valmistajan osanumero: | STF10N60DM2 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 529pF @ 100V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 15nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 600V 8A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Valua lähde jännite (Vdss): | 600V |
Kuvaus: | N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP., |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 8A (Tc) |
Email: | [email protected] |