Ostaa STF10NM60N BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±25V |
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | TO-220FP |
Sarja: | MDmesh™ II |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 550 mOhm @ 4A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 25W (Tc) |
Pakkaus: | Tube |
Pakkaus / Case: | TO-220-3 Full Pack |
Muut nimet: | 497-12564-5 STF10NM60N-ND |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Through Hole |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 22 Weeks |
Valmistajan osanumero: | STF10NM60N |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 540pF @ 50V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 19nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 600V 10A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Valua lähde jännite (Vdss): | 600V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FP |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 10A (Tc) |
Email: | [email protected] |