Ostaa STH150N10F7-2 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4.5V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±20V |
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | H²PAK |
Sarja: | DeepGATE™, STripFET™ VII |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 3.9 mOhm @ 55A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 250W (Tc) |
Pakkaus: | Original-Reel® |
Pakkaus / Case: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant |
Muut nimet: | 497-14979-6 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan osanumero: | STH150N10F7-2 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 8115pF @ 50V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 117nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 100V 110A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount H²PAK |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Valua lähde jännite (Vdss): | 100V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 100V 90A H2PAK-2 |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 110A (Tc) |
Email: | [email protected] |