STH210N75F6-2
STH210N75F6-2
Osa numero:
STH210N75F6-2
Valmistaja:
ST
Kuvaus:
MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK-2
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
18796 Pieces
Tietolomake:
STH210N75F6-2.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä STH210N75F6-2, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma STH210N75F6-2 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa STH210N75F6-2 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:H²PAK
Sarja:DeepGATE™, STripFET™ VI
RDS (Max) @ Id, Vgs:2.8 mOhm @ 90A, 10V
Tehonkulutus (Max):300W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant
Muut nimet:497-11251-2
STH210N75F62
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:STH210N75F6-2
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:11800pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:171nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 75V 180A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount H²PAK
Valua lähde jännite (Vdss):75V
Kuvaus:MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK-2
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:180A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit