STP10NM65N
STP10NM65N
Osa numero:
STP10NM65N
Valmistaja:
ST
Kuvaus:
MOSFET N-CH 650V 9A TO-220
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
16884 Pieces
Tietolomake:
STP10NM65N.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä STP10NM65N, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma STP10NM65N sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa STP10NM65N BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-220AB
Sarja:MDmesh™ II
RDS (Max) @ Id, Vgs:480 mOhm @ 4.5A, 10V
Tehonkulutus (Max):90W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-220-3
Muut nimet:497-7499-5
STP10NM65N-ND
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:STP10NM65N
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:850pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:25nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 650V 9A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-220AB
Valua lähde jännite (Vdss):650V
Kuvaus:MOSFET N-CH 650V 9A TO-220
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:9A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit