STP11N60DM2
STP11N60DM2
Osa numero:
STP11N60DM2
Valmistaja:
ST
Kuvaus:
N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP.,
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
17111 Pieces
Tietolomake:
STP11N60DM2.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä STP11N60DM2, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma STP11N60DM2 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa STP11N60DM2 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-220
Sarja:MDmesh™
RDS (Max) @ Id, Vgs:420 mOhm @ 5A, 10V
Tehonkulutus (Max):110W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-220-3
Muut nimet:497-16932
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:24 Weeks
Valmistajan osanumero:STP11N60DM2
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:614pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:16.5nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 600V 10A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):600V
Kuvaus:N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP.,
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:10A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit