STP28N65M2
STP28N65M2
Osa numero:
STP28N65M2
Valmistaja:
ST
Kuvaus:
MOSFET N-CH 650V 20A TO220
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
12279 Pieces
Tietolomake:
STP28N65M2.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä STP28N65M2, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma STP28N65M2 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa STP28N65M2 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-220
Sarja:MDmesh™ M2
RDS (Max) @ Id, Vgs:180 mOhm @ 10A, 10V
Tehonkulutus (Max):170W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-220-3
Muut nimet:497-15559-5
Käyttölämpötila:150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:22 Weeks
Valmistajan osanumero:STP28N65M2
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1440pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:35nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 650V 20A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-220
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):650V
Kuvaus:MOSFET N-CH 650V 20A TO220
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:20A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit