STP315N10F7
STP315N10F7
Osa numero:
STP315N10F7
Valmistaja:
ST
Kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 180A TO-220AB
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
13909 Pieces
Tietolomake:
STP315N10F7.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä STP315N10F7, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma STP315N10F7 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa STP315N10F7 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-220
Sarja:DeepGATE™, STripFET™ VII
RDS (Max) @ Id, Vgs:2.7 mOhm @ 60A, 10V
Tehonkulutus (Max):315W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-220-3
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:22 Weeks
Valmistajan osanumero:STP315N10F7
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:12800pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:180nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 100V 180A (Tc) 315W (Tc) Through Hole TO-220
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):100V
Kuvaus:MOSFET N-CH 100V 180A TO-220AB
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:180A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit