Ostaa STTA1206G-TR BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
STTA1206G-TR
- Osa numero:
- STTA1206G-TR
- Valmistaja:
- ST
- Kuvaus:
- DIODE GEN PURP 600V 12A D2PAK
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 13638 Pieces
- Tietolomake:
- STTA1206G-TR.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä STTA1206G-TR, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma STTA1206G-TR sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos: | 1.75V @ 12A |
|---|---|
| Jännite - DC Reverse (Vr) (Max): | 600V |
| Toimittaja Device Package: | D2PAK |
| Nopeus: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Sarja: | TURBOSWITCH™ |
| Käänteinen Recovery Time (TRR): | 55ns |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Käyttölämpötila - liitäntä: | 150°C (Max) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | STTA1206G-TR |
| Laajennettu kuvaus: | Diode Standard 600V 12A Surface Mount D2PAK |
| diodi Tyyppi: | Standard |
| Kuvaus: | DIODE GEN PURP 600V 12A D2PAK |
| Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr: | 100µA @ 600V |
| Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io): | 12A |
| Kapasitanssi @ Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat STTA1206G-TR
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
STTA1206G | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 12A D2PAK | tiedustelu |
 |
STTA1206D | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 12A TO220AC | tiedustelu |
 |
STTA12006TV1 | STMicroelectronics | DIODE MODULE 600V 60A ISOTOP | tiedustelu |
 |
STTA106U | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 1A SMB | tiedustelu |
 |
STTA1512PIRG | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1.2KV 15A DOP3I | tiedustelu |
|
STTA1212D | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1.2KV 12A TO220AC | tiedustelu |
 |
JANS1N6761UR-1 | Microsemi Corporation | DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO41 | tiedustelu |
 |
1N4248GPHE3/73 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL | tiedustelu |
 |
MUR840 | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 8A TO220AC | tiedustelu |
|
STTA112U | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1.2KV 1A SMB | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog