Ostaa STTH4R06DEE-TR BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
STTH4R06DEE-TR
- Osa numero:
- STTH4R06DEE-TR
- Valmistaja:
- ST
- Kuvaus:
- DIODE GEN PURP 600V 4A POWERFLAT
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 15525 Pieces
- Tietolomake:
- STTH4R06DEE-TR.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä STTH4R06DEE-TR, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma STTH4R06DEE-TR sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos: | 1.7V @ 4A |
|---|---|
| Jännite - DC Reverse (Vr) (Max): | 600V |
| Toimittaja Device Package: | PowerFlat™ (3.3x3.3) |
| Nopeus: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Sarja: | - |
| Käänteinen Recovery Time (TRR): | 50ns |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | 8-PowerVDFN |
| Muut nimet: | 497-13333-2 STTH4R06DEETR |
| Käyttölämpötila - liitäntä: | 150°C (Max) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 15 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | STTH4R06DEE-TR |
| Laajennettu kuvaus: | Diode Standard 600V 4A Surface Mount PowerFlat™ (3.3x3.3) |
| diodi Tyyppi: | Standard |
| Kuvaus: | DIODE GEN PURP 600V 4A POWERFLAT |
| Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr: | 3µA @ 600V |
| Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io): | 4A |
| Kapasitanssi @ Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat STTH4R06DEE-TR
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
STTH40P03SFP | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 300V 40A TO220FP | tiedustelu |
 |
STTH4R02B-TR | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 4A DPAK | tiedustelu |
 |
STTH4R02S | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 4A SMC | tiedustelu |
|
STTH4R02SY | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 4A SMC | tiedustelu |
 |
STTH4R02FP | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 4A TO220FP | tiedustelu |
 |
STTH4R02 | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 4A DO201AB | tiedustelu |
 |
STTH4R02U | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 4A SMB | tiedustelu |
 |
STTH4R02BY-TR | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 4A DPAK | tiedustelu |
 |
STTH4R02D | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 4A TO220AC | tiedustelu |
|
STTH4R02RL | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 4A DO201AB | tiedustelu |
|
STTH4R02UY | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 4A SMB | tiedustelu |
|
STTH4R02B | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 4A DPAK | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog