STU12N65M5
STU12N65M5
Osa numero:
STU12N65M5
Valmistaja:
ST
Kuvaus:
MOSFET N-CH 650V 8.5A IPAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
17603 Pieces
Tietolomake:
STU12N65M5.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä STU12N65M5, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma STU12N65M5 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa STU12N65M5 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:I-Pak
Sarja:MDmesh™ V
RDS (Max) @ Id, Vgs:430 mOhm @ 4.3A, 10V
Tehonkulutus (Max):70W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Muut nimet:497-11401-5
STU12N65M5-ND
Käyttölämpötila:150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:STU12N65M5
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:900pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:22nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 650V 8.5A (Tc) 70W (Tc) Through Hole I-Pak
Valua lähde jännite (Vdss):650V
Kuvaus:MOSFET N-CH 650V 8.5A IPAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:8.5A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit