Ostaa STW30NM60N BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | TO-247-3 |
Sarja: | MDmesh™ II |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 130 mOhm @ 12.5A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 190W (Tc) |
Pakkaus: | Tube |
Pakkaus / Case: | TO-247-3 |
Muut nimet: | 497-8457-5 |
Käyttölämpötila: | 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Through Hole |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan osanumero: | STW30NM60N |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 2700pF @ 50V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 91nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 600V 25A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247-3 |
Valua lähde jännite (Vdss): | 600V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 600V 25A TO-247 |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 25A (Tc) |
Email: | [email protected] |