Ostaa STW58N60DM2AG BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±25V |
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | TO-247 |
Sarja: | Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 60 mOhm @ 25A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 360W (Tc) |
Pakkaus: | Tube |
Pakkaus / Case: | TO-247-3 |
Muut nimet: | 497-16131-5 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Through Hole |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 24 Weeks |
Valmistajan osanumero: | STW58N60DM2AG |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 4100pF @ 100V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 90nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 600V 50A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-247 |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Valua lähde jännite (Vdss): | 600V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 600V 50A |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 50A (Tc) |
Email: | sales@bychips.com |