Ostaa TPH3206LDB BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
TPH3206LDB
- Osa numero:
- TPH3206LDB
- Valmistaja:
- Transphorm
- Kuvaus:
- GAN FET 650V 16A PQFN88
- Saatavana oleva määrä:
- 15203 Pieces
- Tietolomake:
- TPH3206LDB.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä TPH3206LDB, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma TPH3206LDB sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.6V @ 500µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±18V |
| teknologia: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Toimittaja Device Package: | PQFN (8x8) |
| Sarja: | - |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 180 mOhm @ 11A, 8V |
| Tehonkulutus (Max): | 81W (Tc) |
| Pakkaus / Case: | 4-PowerDFN |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Valmistajan toimitusaika: | 10 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | TPH3206LDB |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 760pF @ 480V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 9.3nC @ 4.5V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 650V 16A (Tc) 81W (Tc) Surface Mount PQFN (8x8) |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | - |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 650V |
| Kuvaus: | GAN FET 650V 16A PQFN88 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 16A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat TPH3206LDB
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
TPH3208LS | Transphorm | GAN FET 650V 20A PQFN88 | tiedustelu |
 |
TPH3206LSB | Transphorm | GAN FET 650V 16A PQFN88 | tiedustelu |
 |
TPH3206LDGB | Transphorm | GAN FET 650V 16A PQFN88 | tiedustelu |
|
TPH3202LS | Transphorm | GAN FET 600V 9A PQFN88 | tiedustelu |
 |
TPH3208LD | Transphorm | GAN FET 650V 20A PQFN88 | tiedustelu |
 |
TPH3206PD | Transphorm | GAN FET 600V 17A TO220 | tiedustelu |
|
TPH3202PD | Transphorm | GAN FET 600V 9A TO220 | tiedustelu |
|
TPH3208LDG | Transphorm | GAN FET 650V 20A PQFN88 | tiedustelu |
|
TPH3205WSBQA | Transphorm | GAN FET 650V 35A TO247 | tiedustelu |
|
TPH3202PS | Transphorm | GAN FET 600V 9A TO220 | tiedustelu |
|
TPH3206PS | Transphorm | GAN FET 600V 17A TO220 | tiedustelu |
|
TPH3206LD | Transphorm | GAN FET 600V 17A PQFN88 | tiedustelu |
|
TPH3206LS | Transphorm | GAN FET 600V 17A PQFN88 | tiedustelu |
|
TPH3206PSB | Transphorm | GAN FET 650V 16A TO220 | tiedustelu |
 |
TPH3207WS | Transphorm | GAN FET 650V 50A TO247 | tiedustelu |
|
TPH3205WSB | Transphorm | GAN FET 650V 36A TO247 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog