Ostaa TPH3206LSB BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.6V @ 500µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±18V |
teknologia: | GaNFET (Gallium Nitride) |
Toimittaja Device Package: | PQFN (8x8) |
Sarja: | - |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 180 mOhm @ 11A, 8V |
Tehonkulutus (Max): | 81W (Tc) |
Pakkaus / Case: | 3-PowerDFN |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Valmistajan toimitusaika: | 10 Weeks |
Valmistajan osanumero: | TPH3206LSB |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 760pF @ 480V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 9.3nC @ 4.5V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 650V 16A (Tc) 81W (Tc) Surface Mount PQFN (8x8) |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | - |
Valua lähde jännite (Vdss): | 650V |
Kuvaus: | GAN FET 650V 16A PQFN88 |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 16A (Tc) |
Email: | [email protected] |