Ostaa ZVP3306FTC BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
ZVP3306FTC
- Osa numero:
- ZVP3306FTC
- Valmistaja:
- Diodes Incorporated
- Kuvaus:
- MOSFET P-CH 60V 0.09A SOT23-3
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 15203 Pieces
- Tietolomake:
- ZVP3306FTC.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä ZVP3306FTC, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma ZVP3306FTC sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 1mA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | SOT-23-3 |
| Sarja: | - |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 14 Ohm @ 200mA, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 330mW (Ta) |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | ZVP3306FTC |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 50pF @ 18V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| FET tyyppi: | P-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | P-Channel 60V 90mA (Ta) 330mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 60V |
| Kuvaus: | MOSFET P-CH 60V 0.09A SOT23-3 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 90mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat ZVP3306FTC
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
ZVP3306ASTOB | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 60V 0.16A TO92-3 | tiedustelu |
 |
ZVP3306FTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 60V 0.09A SOT23-3 | tiedustelu |
|
ZVP3310ASTOB | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 0.14A TO92-3 | tiedustelu |
 |
ZVP3306A | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 60V 160MA TO92-3 | tiedustelu |
|
ZVP3310ASTZ | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 0.14A TO92-3 | tiedustelu |
|
ZVP3310ASTOA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 0.14A TO92-3 | tiedustelu |
|
ZVP3306ASTZ | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 60V 0.16A TO92-3 | tiedustelu |
 |
GP1M007A090FH | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 900V 7A TO220F | tiedustelu |
|
ZVP3310FTC | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 0.075A SOT23-3 | tiedustelu |
 |
AOT8N65 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 650V 8A TO220 | tiedustelu |
|
ZVP3310FTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 0.075A SOT23-3 | tiedustelu |
|
ZVP3310A | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 0.14A TO92-3 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog