Ostaa ZXGD3009E6TA BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
ZXGD3009E6TA
- Osa numero:
- ZXGD3009E6TA
- Valmistaja:
- Diodes Incorporated
- Kuvaus:
- IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 17401 Pieces
- Tietolomake:
- ZXGD3009E6TA.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä ZXGD3009E6TA, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma ZXGD3009E6TA sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Supply: | 40V (Max) |
|---|---|
| Toimittaja Device Package: | SOT-26 |
| Sarja: | Automotive, AEC-Q101 |
| Rise / Fall Time (tyyppinen): | 210ns, 240ns |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | SOT-23-6 |
| Muut nimet: | ZXGD3009E6TADITR |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| input Frequency: | 1 |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 10 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | ZXGD3009E6TA |
| Logiikkajännite - VIL, VIH: | - |
| Syötetyyppi: | Non-Inverting |
| Porttityyppi: | N-Channel MOSFET |
| Laajennettu kuvaus: | Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting SOT-26 |
| Driven Configuration: | Low-Side |
| Kuvaus: | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 |
| Nykyinen - Peak Output (Source, Sink): | 2A, 2A |
| Base-Emitter värikylläisyys Jännite (max): | Single |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat ZXGD3009E6TA
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
ZXGD3002E6TA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 | tiedustelu |
|
ZXGD3001E6QTA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 | tiedustelu |
|
ZXGD3003E6QTA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 | tiedustelu |
|
ZXGD3005E6TA | Diodes Incorporated | IC GATE DVR IGBT/MOSFET SOT26 | tiedustelu |
 |
ZXGD3009DYTA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT363 | tiedustelu |
|
ZXGD3001E6TA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 | tiedustelu |
|
ZXGD3006E6QTA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 | tiedustelu |
|
ZXGD3006E6TA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 | tiedustelu |
|
ZXGD3004E6TA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 | tiedustelu |
|
ZXGD3003E6TA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog