APT53F80J
APT53F80J
Osa numero:
APT53F80J
Valmistaja:
Microsemi
Kuvaus:
MOSFET N-CH 800V 57A SOT-227
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
14270 Pieces
Tietolomake:
1.APT53F80J.pdf2.APT53F80J.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä APT53F80J, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma APT53F80J sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa APT53F80J BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 5mA
Vgs (Max):±30V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:ISOTOP®
Sarja:POWER MOS 8™
RDS (Max) @ Id, Vgs:110 mOhm @ 43A, 10V
Tehonkulutus (Max):960W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:SOT-227-4, miniBLOC
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Chassis Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:22 Weeks
Valmistajan osanumero:APT53F80J
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:17550pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:570nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 800V 57A 960W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):800V
Kuvaus:MOSFET N-CH 800V 57A SOT-227
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:57A
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit