APTM120U10SCAVG
APTM120U10SCAVG
Osa numero:
APTM120U10SCAVG
Valmistaja:
Microsemi
Kuvaus:
MOSFET N-CH 1200V 116A SP6
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
19207 Pieces
Tietolomake:
APTM120U10SCAVG.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä APTM120U10SCAVG, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma APTM120U10SCAVG sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa APTM120U10SCAVG BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 20mA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:SP6
Sarja:POWER MOS 7®
RDS (Max) @ Id, Vgs:120 mOhm @ 58A, 10V
Tehonkulutus (Max):3290W (Tc)
Pakkaus:Bulk
Pakkaus / Case:SP6
Käyttölämpötila:-40°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Chassis Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:22 Weeks
Valmistajan osanumero:APTM120U10SCAVG
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:28900pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:1100nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 1200V (1.2kV) 116A 3290W (Tc) Chassis Mount SP6
Valua lähde jännite (Vdss):1200V (1.2kV)
Kuvaus:MOSFET N-CH 1200V 116A SP6
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:116A
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit