DMG6602SVTQ-7
DMG6602SVTQ-7
Osa numero:
DMG6602SVTQ-7
Valmistaja:
Diodes Incorporated
Kuvaus:
MOSFET N/P-CH 30V TSOT26
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
19175 Pieces
Tietolomake:
DMG6602SVTQ-7.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä DMG6602SVTQ-7, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma DMG6602SVTQ-7 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa DMG6602SVTQ-7 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2.3V @ 250µA
Toimittaja Device Package:TSOT-26
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:60 mOhm @ 3.1A, 10V
Virta - Max:840mW
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Muut nimet:DMG6602SVTQ-7DITR
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:8 Weeks
Valmistajan osanumero:DMG6602SVTQ-7
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:400pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:13nC @ 10V
FET tyyppi:N and P-Channel
FET Ominaisuus:Logic Level Gate
Laajennettu kuvaus:Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.4A, 2.8A 840mW Surface Mount TSOT-26
Valua lähde jännite (Vdss):30V
Kuvaus:MOSFET N/P-CH 30V TSOT26
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:3.4A, 2.8A
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit