DMN65D8LDW-7
DMN65D8LDW-7
Osa numero:
DMN65D8LDW-7
Valmistaja:
Diodes Incorporated
Kuvaus:
MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
14275 Pieces
Tietolomake:
DMN65D8LDW-7.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä DMN65D8LDW-7, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma DMN65D8LDW-7 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa DMN65D8LDW-7 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
Toimittaja Device Package:SOT-363
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:6 Ohm @ 115mA, 10V
Virta - Max:300mW
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Muut nimet:DMN65D8LDW-7DITR
DMN65D8LDW7
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:8 Weeks
Valmistajan osanumero:DMN65D8LDW-7
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:22pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:0.87nC @ 10V
FET tyyppi:2 N-Channel (Dual)
FET Ominaisuus:Logic Level Gate
Laajennettu kuvaus:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 180mA 300mW Surface Mount SOT-363
Valua lähde jännite (Vdss):60V
Kuvaus:MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:180mA
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit