FQD4N25TM_WS
FQD4N25TM_WS
Osa numero:
FQD4N25TM_WS
Valmistaja:
Fairchild/ON Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N-CH 250V 3A DPAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
17987 Pieces
Tietolomake:
1.FQD4N25TM_WS.pdf2.FQD4N25TM_WS.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä FQD4N25TM_WS, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma FQD4N25TM_WS sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa FQD4N25TM_WS BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:D-Pak
Sarja:QFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:1.75 Ohm @ 1.5A, 10V
Tehonkulutus (Max):2.5W (Ta), 37W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Muut nimet:FQD4N25TM_WS-ND
FQD4N25TM_WSTR
FQD4N25TMWS
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:6 Weeks
Valmistajan osanumero:FQD4N25TM_WS
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:200pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:5.6nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 250V 3A (Tc) 2.5W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount D-Pak
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):250V
Kuvaus:MOSFET N-CH 250V 3A DPAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:3A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit