Ostaa FQD4N25TM_WS BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
FQD4N25TM_WS
- Osa numero:
- FQD4N25TM_WS
- Valmistaja:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 250V 3A DPAK
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 17987 Pieces
- Tietolomake:
- 1.FQD4N25TM_WS.pdf2.FQD4N25TM_WS.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä FQD4N25TM_WS, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma FQD4N25TM_WS sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±30V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | D-Pak |
| Sarja: | QFET® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 1.75 Ohm @ 1.5A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 2.5W (Ta), 37W (Tc) |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Muut nimet: | FQD4N25TM_WS-ND FQD4N25TM_WSTR FQD4N25TMWS |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 6 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | FQD4N25TM_WS |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 200pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 5.6nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 250V 3A (Tc) 2.5W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount D-Pak |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 250V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 250V 3A DPAK |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 3A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat FQD4N25TM_WS
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
FQD4N50TM_WS | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK | tiedustelu |
|
FQD4N25TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 3A DPAK | tiedustelu |
|
FQD4N20LTM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 3.2A DPAK | tiedustelu |
|
FQD4N25TF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 3A DPAK | tiedustelu |
|
FQD4N50TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK | tiedustelu |
 |
APT33N90JCCU2 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 | tiedustelu |
|
FQD4N20TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 3A DPAK | tiedustelu |
|
FQD4N20LTF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 3.2A DPAK | tiedustelu |
 |
PHD55N03LTA,118 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 25V 55A DPAK | tiedustelu |
|
FQD4N20TF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 3A DPAK | tiedustelu |
|
FQD4N50TF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog