HN1C01F-GR(TE85L,F
HN1C01F-GR(TE85L,F
Osa numero:
HN1C01F-GR(TE85L,F
Valmistaja:
Toshiba Semiconductor
Kuvaus:
TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
17757 Pieces
Tietolomake:
HN1C01F-GR(TE85L,F.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä HN1C01F-GR(TE85L,F, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma HN1C01F-GR(TE85L,F sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa HN1C01F-GR(TE85L,F BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 10mA, 100mA
transistori tyyppi:2 NPN (Dual)
Toimittaja Device Package:SM6
Sarja:-
Virta - Max:300mW
Pakkaus:Cut Tape (CT)
Pakkaus / Case:SC-74, SOT-457
Muut nimet:HN1C01F-GR(TE85LF)CT
HN1C01F-GR(TE85LF)CT-ND
HN1C01F-GR(TE85LFCT
Käyttölämpötila:125°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:HN1C01F-GR(TE85L,F
Taajuus - Siirtyminen:800MHz
Laajennettu kuvaus:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 800MHz 300mW Surface Mount SM6
Kuvaus:TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:120 @ 2mA, 6V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Nykyinen - Collector (le) (Max):150mA
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit