HN1C01FU-GR,LF
HN1C01FU-GR,LF
Osa numero:
HN1C01FU-GR,LF
Valmistaja:
Toshiba Semiconductor
Kuvaus:
TRANS 2NPN 50V 0.15A US6
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
13189 Pieces
Tietolomake:
HN1C01FU-GR,LF.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä HN1C01FU-GR,LF, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma HN1C01FU-GR,LF sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa HN1C01FU-GR,LF BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 10mA, 100mA
transistori tyyppi:2 NPN (Dual)
Toimittaja Device Package:US6
Sarja:-
Virta - Max:200mW
Pakkaus:Original-Reel®
Pakkaus / Case:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Muut nimet:HN1C01FU-GRLFDKR
HN1C01FUGRLFTDKR
HN1C01FUGRLFTDKR-ND
Käyttölämpötila:125°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:HN1C01FU-GR,LF
Taajuus - Siirtyminen:80MHz
Laajennettu kuvaus:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 80MHz 200mW Surface Mount US6
Kuvaus:TRANS 2NPN 50V 0.15A US6
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:200 @ 2mA, 6V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Nykyinen - Collector (le) (Max):150mA
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit