IPD70N10S3L-12
IPD70N10S3L-12
Osa numero:
IPD70N10S3L-12
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
12173 Pieces
Tietolomake:
IPD70N10S3L-12.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IPD70N10S3L-12, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IPD70N10S3L-12 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IPD70N10S3L-12 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2.4V @ 83µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:PG-TO252-3
Sarja:OptiMOS™
RDS (Max) @ Id, Vgs:11.5 mOhm @ 70A, 10V
Tehonkulutus (Max):125W (Tc)
Pakkaus:Original-Reel®
Pakkaus / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Muut nimet:IPD70N10S3L-12DKR
IPD70N10S3L-12DKR-ND
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:IPD70N10S3L-12
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:5550pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:77nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 100V 70A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Valua lähde jännite (Vdss):100V
Kuvaus:MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:70A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit