Ostaa IPD70N10S3L-12 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IPD70N10S3L-12
- Osa numero:
- IPD70N10S3L-12
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 12173 Pieces
- Tietolomake:
- IPD70N10S3L-12.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IPD70N10S3L-12, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IPD70N10S3L-12 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.4V @ 83µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | PG-TO252-3 |
| Sarja: | OptiMOS™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 11.5 mOhm @ 70A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 125W (Tc) |
| Pakkaus: | Original-Reel® |
| Pakkaus / Case: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Muut nimet: | IPD70N10S3L-12DKR IPD70N10S3L-12DKR-ND |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | IPD70N10S3L-12 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 5550pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 77nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 100V 70A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 100V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 70A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IPD70N10S3L-12
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IPD70N03S4L-04 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 70A TO252-3 | tiedustelu |
|
IPD70N10S312ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3 | tiedustelu |
|
IPD70N10S3L12ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3 | tiedustelu |
 |
IPD70N12S3L12ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL_100+ | tiedustelu |
|
IPD70R1K4CEAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 700V 5.4A TO252-3 | tiedustelu |
|
IPD70R360P7SAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 700V 34A DPAK | tiedustelu |
|
IPD70R600P7SAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 700V 20.5A DPAK | tiedustelu |
|
IPD70R950CEAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 700V 7.4A TO252-3 | tiedustelu |
 |
IPD70P04P409ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH TO252-3 | tiedustelu |
|
IPD70P04P4L08ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH TO252-3 | tiedustelu |
|
IPD70R600CEAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO252-3 | tiedustelu |
|
IPD70R2K0CEAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO252-3 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog