IRF7351PBF
IRF7351PBF
Osa numero:
IRF7351PBF
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
19033 Pieces
Tietolomake:
IRF7351PBF.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IRF7351PBF, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IRF7351PBF sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IRF7351PBF BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 50µA
Toimittaja Device Package:8-SO
Sarja:HEXFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:17.8 mOhm @ 8A, 10V
Virta - Max:2W
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Muut nimet:SP001570426
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:IRF7351PBF
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1330pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:36nC @ 10V
FET tyyppi:2 N-Channel (Dual)
FET Ominaisuus:Logic Level Gate
Laajennettu kuvaus:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 8A 2W Surface Mount 8-SO
Valua lähde jännite (Vdss):60V
Kuvaus:MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:8A
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit