IRF7353D1TRPBF
IRF7353D1TRPBF
Osa numero:
IRF7353D1TRPBF
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
18102 Pieces
Tietolomake:
IRF7353D1TRPBF.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IRF7353D1TRPBF, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IRF7353D1TRPBF sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IRF7353D1TRPBF BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:8-SO
Sarja:FETKY™
RDS (Max) @ Id, Vgs:32 mOhm @ 5.8A, 10V
Tehonkulutus (Max):2W (Ta)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Muut nimet:IRF7353D1PBFTR
SP001566326
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:IRF7353D1TRPBF
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:650pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:33nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:Schottky Diode (Isolated)
Laajennettu kuvaus:N-Channel 30V 6.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SO
Valua lähde jännite (Vdss):30V
Kuvaus:MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:6.5A (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit