IRFD110
IRFD110
Osa numero:
IRFD110
Valmistaja:
Vishay / Siliconix
Kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
16174 Pieces
Tietolomake:
IRFD110.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IRFD110, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IRFD110 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IRFD110 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:540 mOhm @ 600mA, 10V
Tehonkulutus (Max):1.3W (Ta)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:4-DIP (0.300", 7.62mm)
Muut nimet:*IRFD110
IRFD111
IRFD112
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:IRFD110
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:180pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:8.3nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 100V 1A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Valua lähde jännite (Vdss):100V
Kuvaus:MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:1A (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit