IRFD120PBF
IRFD120PBF
Osa numero:
IRFD120PBF
Valmistaja:
Vishay / Siliconix
Kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
16141 Pieces
Tietolomake:
IRFD120PBF.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IRFD120PBF, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IRFD120PBF sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IRFD120PBF BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:270 mOhm @ 780mA, 10V
Tehonkulutus (Max):1.3W (Ta)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:4-DIP (0.300", 7.62mm)
Muut nimet:*IRFD120PBF
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:12 Weeks
Valmistajan osanumero:IRFD120PBF
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:360pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:16nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 100V 1.3A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):100V
Kuvaus:MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:1.3A (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit